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参数资料
| 型号： | IRFR3706CPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | IRFR3706CPBF |
IRFR/U3706CPbF
www.irf.com
5
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
Fig 10b. Switching Time Waveforms
VDS
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
4.5V
+
-V
DD
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJC
C
P
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Ther
m
a
lR
e
sponse
(Z
)
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
T , Case Temperature ( C)
I
,
Drain
Current
(A)
°
C
D
LIMITED BY PACKAGE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3706 | 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
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| IRFZ32 | 25 A, 50 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFZ44VZ | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRG4BC20MD-S | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFR3706CTRR | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:High Frequency Isolated DC-DC Converters |
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| IRFR3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3706TR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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