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参数资料
| 型号： | IRFR3709Z |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | IRFR3709Z |
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
2.25V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.25V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
2.25V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.25V
TOP
BOTTOM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 30A
VGS = 10V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3709Z | HEXFET Power MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFR3709ZCTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 86A, 6.5 mOhm, 17 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3709ZCTRRP | 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 86A, 6.5 mOhm, 17 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3709ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| IRFR3709ZPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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