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参数资料
| 型号： | IRFR3709Z |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | IRFR3709Z |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.810 0.000260
0.640 0.001697
0.451 0.021259
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
ID
Limited By Package
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3709Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3710ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFU3710ZPbF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFR3711ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3711ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3709ZCPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3709ZCTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 86A, 6.5 mOhm, 17 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3709ZCTRRP | 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 86A, 6.5 mOhm, 17 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3709ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| IRFR3709ZPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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