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参数资料
| 型号： | IRFR9110 |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | IRFR9110 |
4-82
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT IRFU9220 2 1 3 REV 9/6/94
CA 12 8 723e-12
CB 15 14 733e-12
CIN 6 8 517e-12
DBODY 5 7 DBDMOD
DBREAK 5 11 DBKMOD
DPLCAP 10 6 DPLCAPMOD
EBREAK 7 11 17 18 -244.4
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 5 10 8 6 1
EVTO 20 6 8 18 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 2.609e-9
LSOURCE 3 7 2.609e-9
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M=0.99
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M=0.01
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDSMOD 1.194
RGATE 9 20 2.17
RIN 6 8 1e9
RLDRAIN 2 5 10
RLGATE 1 9 26.09
RLSOURCE 3 7 26.09
RSCL1 5 51 RSCLMOD 1e-6
RSCL2 5 50 1e3
RSOURCE 8 7 RDSMOD 90.1e-3
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 -0.77
ESCL 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)*1e6/4.6,6))}
.MODEL DBDMOD D (IS=2.56e-14 RS=8.09e-2 TRS1=-2.45e-3 TRS2=-1.33e-5 CJO=4.21e-10 TT=1.17e-7)
.MODEL DBKMOD D (RS=5.07 TRS1=-1.05e-3 TRS2=1.28e-5)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO=170e-12 IS=1e-30 N=10)
.MODEL MOSMOD PMOS (VTO=-3.58 KP=1.38 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-2.73e-6)
.MODEL RDSMOD RES (TC1=6.95e-3 TC2=2.23e-5)
.MODEL RSCLMOD RES (TC1=2.40e-3 TC2=-1.5e-5)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1=-3.27e-3 TC2=-1.33e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=5.29 VOFF=3.29)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=3.29 VOFF=5.29)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.1 VOFF=-4.9)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4.9 VOFF=0.1)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature
Options
; written by William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
1
GATE
LGATE
DBREAK
DBODY
LDRAIN
DRAIN
2
RSOURCE
LSOURCE
SOURCE
DPLCAP
10
11
7
3
RLGATE
RLDRAIN
RLSOURCE
CA
RBREAK
RVTO
VBAT
+
-
19
IT
EDS
EGS
S1A
S2A
S2B
S1B
CB
18
17
12
15
14
13
13
8
14
13
5
8
+
-
+
-
6
8
EVTO
+
RGATE
20
9
18
8
-
ESG
6
8
+
-
RIN
CIN
MOS1
MOS2
VTO
6
5
16
21
8
+
RDRAIN
ESCL
50
RSCL1
51
RSCL2
+
-
5
51
EBREAK
+
17
18
-
IRFR9110, IRFU9110
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9110 | 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管) |
| IRFR9220PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFU9220PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFR9220 | 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRFU9220 | 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR91109A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR9110PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9110TF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFR9110TM | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| IRFR9110TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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