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参数资料
| 型号： | IRFR9214 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | P通道表面贴装HEXFET功率MOSFET的性（P沟道表贴型的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | IRFR9214 |
IRFR/U9214
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
100
200
300
400
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
100us
1ms
10ms
0
3
Q , Total Gate Charge (nC)
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-1.7 A
V
=-50V
DS
V
=-125V
DS
V
=-200V
DS
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PDF描述 |
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