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参数资料
| 型号： | IRFR9214 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | P通道表面贴装HEXFET功率MOSFET的性（P沟道表贴型的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | IRFR9214 |
IRFR/U9214
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
DRIVER
A
15V
-20V
-
DD
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
-1.3A
-1.8A
-2.8A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFRU9310 | Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFR9214TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9214TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9214TRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9214TRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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