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参数资料
| 型号： | IRFS31N20DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的RDS（on）最大值\u003d 0.082ヘ，身份证\u003d 31A条） |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | IRFS31N20DPBF |
www.irf.com
1
MOSFET
HEXFET Power MOSFET
High Frequency DC-DC converters
Lead-Free
Applications
Low Gate to Drain to Reduce Switching
Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design,(See
AN 1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.082
I
D
31A
Telecom 48V Input DC/DC Active Clamp Reset Forward Converter
Notes
through
are on page 11
D
2
Pak
IRFS31N20DPbF
TO-220AB
IRFB31N20DPbF
TO-262
IRFSL31N20DPbF
Parameter
Max.
31
21
124
3.1
200
1.3
± 30
2.1
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
10 lbfin (1.1Nm)
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PDF描述 |
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