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参数资料
| 型号： | IRFS31N20DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的RDS（on）最大值\u003d 0.082ヘ，身份证\u003d 31A条） |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | IRFS31N20DPBF |
IRFB/S/SL31N20DPbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25°
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
18A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
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PDF描述 |
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