型号: | IRFS450B |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 500V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 9.6 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | TO-3PF, 3 PIN |
文件页数: | 2/8页 |
文件大小: | 687K |
代理商: | IRFS450B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFS460 | N-Channel Power MOSFET(500V,0.25Ω,12.4A)(N沟道功率MOS场效应管(漏源电压500V,导通电阻0.25Ω,漏电流12.4A)) |
IRFS510 | Advanced Power MOSFET |
IRFS510A | Advanced Power MOSFET |
IRFS520A | Advanced Power MOSFET |
IRFS530 | Advanced Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFS451 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-186VAR |
IRFS4510PBF | 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS4510TRLPBF | 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS460 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12.4A I(D) | TO-247VAR |
IRFS4610 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |