参数资料
型号: IRFS450B
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 9.6 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: TO-3PF, 3 PIN
文件页数: 6/8页
文件大小: 687K
代理商: IRFS450B
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相关PDF资料
PDF描述
IRFS460 N-Channel Power MOSFET(500V,0.25Ω,12.4A)(N沟道功率MOS场效应管(漏源电压500V,导通电阻0.25Ω,漏电流12.4A))
IRFS510 Advanced Power MOSFET
IRFS510A Advanced Power MOSFET
IRFS520A Advanced Power MOSFET
IRFS530 Advanced Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFS451 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-186VAR
IRFS4510PBF 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS4510TRLPBF 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS460 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12.4A I(D) | TO-247VAR
IRFS4610 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件