参数资料
型号: IRFSL41N15D
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 41A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2520pF @ 25V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRFSL41N15D
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
TO-262 Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
TO-262 Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
ASS EMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASS EMBLY LINE "C"
INT ERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
www.irf.com
AS SEMBLY
LOT CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
11
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PDF描述
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参数描述
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IRFSL4227PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFSL4228PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFSL4229PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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