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参数资料
| 型号： | IRFSL41N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFSL41N15D |
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
TO-220 Full-Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
10.60 (.417)
10.40 (.409)
?
3.40 (.133)
3.10 (.123)
-A-
4.80 (.189)
4.60 (.181)
2.80 (.110)
2.60 (.102)
3.70 (.145)
LEAD ASSIGNMENTS
3.20 (.126)
7.10 (.280)
6.70 (.263)
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
16.00 (.630)
15.80 (.622)
1.15 (.045)
NOTES:
MIN.
1 DIMENSIONING & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982
1
2
3
2 CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3.30 (.130)
3.10 (.122)
-B-
13.70 (.540)
13.50 (.530)
C
D
0.44 (.017)
1.40 (.055)
3X
1.05 (.042)
2.54 (.100)
0.90 (.035)
3X 0.70 (.028)
0.25 (.010)
M A M
B
0.48 (.019)
3X
2.85 (.112)
2.65 (.104)
A
B
MINIMUM CREEPAGE
DISTANCE BETWEEN
2X
A-B-C-D = 4.80 (.189)
TO-220 Full-Pak Part Marking Information
Notes: This part marking information applies to all devices produced before 02/26/2001
and currently for parts manufactured in GB.
EXAMPLE: T HIS IS AN IRFI840G
WITH ASS EMBLY
LOT CODE E401
INT ERNATIONAL
RECT IFIER
LOGO
ASS EMBLY
LOT CODE
IRF I840G
E401
9245
PART NUMBER
DATE CODE
(YYWW)
YY = YEAR
WW = WEEK
Notes : T his part marking information applies to devices produced after 02/26/2001 in
location other than GB.
EXAMPLE: THIS IS AN IRFI840G
WITH AS SEMBLY
LOT CODE 3432
AS SEMBLED ON WW 24 1999
IN THE AS SEMBLY LINE "K"
INTERNATIONAL
RECT IFIER
LOGO
IRFI840G
924K
34 32
PART NUMBER
DAT E CODE
www.irf.com
AS SEMBLY
LOT CODE
YEAR 9 = 1999
WEEK 24
LINE K
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL59N10D | MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 |
| IRFSL9N60ATRR | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 |
| IRFU214BTU_FP001 | MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK |
| IRFU540ZPBF | MOSFET N-CH 100V 35A IPAK |
| IRFW630BTM_FP001 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFSL41N15DPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4227PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL4228PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL4229PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL42N20D | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:High frequency DC-DC converters |
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