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参数资料
| 型号： | IRFSL59N10D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 35.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFSL59N10D |
PD - 93890
IRFB59N10D
SMPS MOSFET
IRFS59N10D
IRFSL59N10D
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
V DSS
100V
R DS(on) max
0.025 ?
I D
59A
Benefits
l
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
l
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRFB59N10D
D 2 Pak
IRFS59N10D
TO-262
IRFSL59N10D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
59
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
42
236
3.8
200
1.3
± 30
3.3
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw ?
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Typical SMPS Topologies
l
l
Half-bridge and Full-bridge DC-DC Converters
Full-bridge Inverters
Notes ?
through ? are on page 11
www.irf.com
1
4/17/00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL9N60ATRR | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFSL59N10DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
| IRFSL7437PBF | 功能描述:MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL7440PBF | 功能描述:MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL9N60A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL9N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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