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参数资料
| 型号： | IRFSL59N10D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 35.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFSL59N10D |
IRFB/IRFS/IRFSL59N10D
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 35.4A
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 20V
10000
12
Ciss
8
1000
Coss
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
100
0
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 175 C
100
°
100
10us
100us
10
1
T J = 25 ° C
10
1ms
10ms
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
V GS = 0 V
1.8
2.2
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL9N60ATRR | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 |
| IRFU214BTU_FP001 | MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK |
| IRFU540ZPBF | MOSFET N-CH 100V 35A IPAK |
| IRFW630BTM_FP001 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| IRFZ14STRR | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFSL59N10DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
| IRFSL7437PBF | 功能描述:MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL7440PBF | 功能描述:MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL9N60A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL9N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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