参数资料
型号: IRFSL59N10D
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 59A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 35.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2450pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRFSL59N10D
IRFB/IRFS/IRFSL59N10D
1000
100
VGS
TOP     15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
100
VGS
TOP     15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
10
1
5.0V
0.1
5.0V
1
0.01
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10             100
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10             100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
2.5
I D = 59A
2.0
100
T J = 175 ° C
1.5
10
1.0
1
T J = 25 ° C
0.5
0.1
4
6
8
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
10       12
14
0.0
-60 -40 -20
0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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