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参数资料
| 型号： | IRFSL4410ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 851K |
| 代理商： | IRFSL4410ZPBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
ID
Limited By Package
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
90
95
100
105
110
115
120
125
V(
Id = 5mA
-10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
E
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
EA
ID
TOP 6.4A
9.4A
BOTTOM 58A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS9N60APBF | SMPS MOSFET |
| IRFS9N60A | SMPS MOSFET |
| IRFSL9N60A | SMPS MOSFET |
| IRFU024 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFR024 | HEXFET POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFSL4510PBF | 功能描述:MOSFET N CH 100V TO262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFSL4610 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFSL4610PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL4615PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL4615PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 150V 33A 42 mOhm 26 nC Qg TO 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 33A, TO-262 |
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