收藏本站
参数资料
型号： IRFSL4410ZPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 7/11页
文件大小： 851K
代理商： IRFSL4410ZPBF
www.irf.com
7
Fig 23a.
Switching Time Test Circuit
Fig 23b.
Switching Time Waveforms
Fig 22b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 22a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 24a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 24b.
Gate Charge Waveform
Fig 21.
!
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
"
"
+
-
+
+
+
-
-
-
!"#""
"#""&#
$%%
1K
20K
VCC
DUT
0
L
S
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1
Qgs2
Qgd
Qgodr
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
tp
V
(BR)DSS
I
AS
V
GS
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Second Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DS
V
GS
90%
10%
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
相关PDF资料
PDF描述
IRFS9N60APBF SMPS MOSFET
IRFS9N60A SMPS MOSFET
IRFSL9N60A SMPS MOSFET
IRFU024 HEXFET POWER MOSFET
IRFR024 HEXFET POWER MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFSL4510PBF 功能描述:MOSFET N CH 100V TO262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFSL4610 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFSL4610PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFSL4615PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFSL4615PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 150V 33A 42 mOhm 26 nC Qg TO 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 33A, TO-262
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*