参数资料
型号: IRFSL9N60ATRR
厂商: Vishay Siliconix
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描述: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
标准包装: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 750 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
功率 - 最大: 170W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262-3
包装: 带卷 (TR)
IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A
Vishay Siliconix
V DS
15 V
t p
V DS
L
Driver
- V DD
R g
20 V
t p
D.U.T.
I AS
0.01 Ω
+
A
A
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
600
TOP
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
I D
4.1A
500
400
300
200
100
0
BOTTOM
5.8A
9.2A
25
50
75
100
125
150
Starting T J , Junction Temperature ( C)
°
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
10 V
Q G
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
-
V DS
V G
Charge
V GS
3 mA
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
www.vishay.com
6
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 90362
S11-1045-Rev. C, 30-May-11
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IRFSZ30 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-186
IRFSZ34 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-186