参数资料
型号: IRFU3505
厂商: International Rectifier
英文描述: AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述: 汽车MOSFET的
文件页数: 5/11页
文件大小: 587K
代理商: IRFU3505
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
ID
LIMITED BY PACKAGE
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 30A
VGS = 10V
相关PDF资料
PDF描述
IRFR3518 HEXFET Power MOSFET
IRFU3518 HEXFET Power MOSFET
IRFR3704Z CONN RGT ANGLE HDR 12
IRFU3704Z HEXFET Power MOSFET
IRFR3704 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFU3505PBF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3518 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3518-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 80V 38A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3518PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 38A I-PAK
IRFU3607-701PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 80A, 9.0 MOHM, 56 NC QG, I-PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 56A IPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak