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参数资料
型号： IRFU3505
厂商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽车MOSFET的
文件页数： 8/11页
文件大小： 587K
代理商： IRFU3505
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
!"# !
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"& #
$#'(#% " #
# !)*#
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
"+," &&#"-.
+#!*#/#!0
%
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03#+#0 "##!
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&!#4"5
1
≤ 1
6!
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
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参数描述
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IRFU3518 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3518-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 80V 38A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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