参数资料
型号: IRFZ24STRRPBF
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
标准包装: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V
功率 - 最大: 3.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263(D2Pak)
包装: 带卷 (TR)
IRFZ24S, IRFZ24L, SiHFZ24S, SiHFZ24S
Vishay Siliconix
V DS
R D
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Vary t p to obtain
V DS
L
t p
V DS
required I AS
V DD
R g
D.U.T.
I AS
+
-
V DD
V DS
10 V
t p
0.01 W
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Document Number: 90366
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
www.vishay.com
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