参数资料
型号: IRFZ24STRRPBF
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
标准包装: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V
功率 - 最大: 3.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263(D2Pak)
包装: 带卷 (TR)
Package Information
www.vishay.com
TO-220AB
Vishay Siliconix
E
A
DIM.
MILLIMETERS
MIN. MAX.
INCHES
MIN. MAX.
?P
F
A
b
b(1)
c
D
E
e
e(1)
F
H(1)
4.25
0.69
1.20
0.36
14.85
10.04
2.41
4.88
1.14
6.09
4.65
1.01
1.73
0.61
15.49
10.51
2.67
5.28
1.40
6.48
0.167
0.027
0.047
0.014
0.585
0.395
0.095
0.192
0.045
0.240
0.183
0.040
0.068
0.024
0.610
0.414
0.105
0.208
0.055
0.255
1
2
3
J(1)
2.41
2.92
0.095
0.115
L
L(1)
13.35
3.32
14.02
3.82
0.526
0.131
0.552
0.150
M *
?P
Q
3.54
2.60
3.94
3.00
0.139
0.102
0.155
0.118
b(1)
ECN: T13-0724-Rev. O, 14-Oct-13
DWG: 5471
Note
* M = 1.32 mm to 1.62 mm (dimension including protrusion)
Heatsink hole for HVM
C
b
e
J(1)
e(1)
Revison: 14-Oct-13
1
Document Number: 71195
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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