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参数资料
| 型号： | IRFZ34STRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFZ34S, IRFZ34L, SiHFZ34S, SiHFZ34L
Vishay Siliconix
V DS
R D
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 90368
S11-1045-Rev. C, 30-May-11
www.vishay.com
5
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44ESTRL | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK |
| IRFZ44E | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| IRFZ44NSTRR | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
| IRFZ46NSTRL | MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK |
| IRFZ48NL | MOSFET N-CH 55V 64A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ34STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ34STRRPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ34V | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ34VL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology |
| IRFZ34VLPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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