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参数资料
型号： IRFZ44E
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
标准包装： 50
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 48A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 23 毫欧 @ 29A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1360pF @ 25V
功率 - 最大： 110W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220AB
包装： 管件
其它名称： *IRFZ44E
IRFZ44E
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.063
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.023
?
V GS = 10V, I D = 29A
?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
2.0
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 30V, I D = 29A ?
25 V DS = 60V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 48V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
60 I D = 29A
13 nC V DS = 48V
––– R G = 15 ?
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
60
70
70
23 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13
––– V DD = 30V
––– I D = 29A
ns
––– R D = 1.1 ? , See Fig. 10 ?
?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5
7.5
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1360
420
160
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
MOSFET symbol
––– ––– 48
showing the
A
G
––– ––– 192
p-n junction diode.
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 29A, V GS = 0V ?
D
S
t rr
Q rr
t on
Notes:
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– 69 104 ns T J = 25°C, I F = 29A
––– 177 266 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 520μH
R G = 25 ? , I AS = 29A. (See Figure 12)
2
? I SD ≤ 29A, di/dt ≤ 320A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
www.irf.com
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PDF描述
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IRFZ44EL-103HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRFZ44ELHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-262 - Bulk
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