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参数资料
| 型号： | IRFZ44E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFZ44E |
IRFZ44E
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
4.5V
10
4.5V
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
2.5
I D = 48A
2.0
T J = 25 ° C
100
T J = 175 ° C
1.5
1.0
10
0.5
1
4
5
6
7
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
8 9
10
0.0
-60 -40 -20 0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44NSTRR | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFZ44EL-103HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
| IRFZ44ELHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-262 - Bulk |
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