- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360952 > IRG4BC20W-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRG4BC20W-STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展|第13A一（c）|至263AB |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRG4BC20W-STRL |
IRG4BAC50S
6
www.irf.com
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC20W-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30S-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30S-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BAC50S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(标准速度绝缘栅型双极型晶体管) |
| IRG4C30W-S | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4BC20W-STRR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
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| IRG4BC30FD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
| IRG4BC30FD1 | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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