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参数资料
型号： IRG4BC20W-STRL
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB
中文描述： 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展|第13A一（c）|至263AB
文件页数： 7/8页
文件大小： 135K
代理商： IRG4BC20W-STRL
IRG4BAC50S
www.irf.com
7
480V
4
X
I
C
@
25°C
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
Fig. 13a
-
Clamped Inductive
Load Test Circuit
Fig. 13b
-
Pulsed Collector
Current Test Circuit
480μF
960V
0 - 480V
R
L
=
Fig. 14b
-
Switching Loss
Waveforms
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
Fig. 14a
-
Switching Loss
Test Circuit
* Driver same type
as D.U.T., VC = 480V
相关PDF资料
PDF描述
IRG4BC20W-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB
IRG4BC30S-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
IRG4BC30S-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
IRG4BAC50S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(标准速度绝缘栅型双极型晶体管)
IRG4C30W-S
相关代理商/技术参数
参数描述
IRG4BC20W-STRR 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB
IRG4BC30 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4BC30F 功能描述:IGBT FAST 600V 31A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30FD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC30FD1 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
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