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参数资料
型号： IRG4CH50SB
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP
中文描述： 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展|芯片
文件页数： 6/8页
文件大小： 188K
代理商： IRG4CH50SB
IRG4BC30W-S
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
0
5
10
15
20
25
30
0.0
0.5
1.0
1.5
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
相关PDF资料
PDF描述
IRG4CH50UB
IRG4MC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-254AA
IRG4MC50F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA
IRG4MC50U TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA
IRG4PC50S-P 600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a SM TO-247 package
相关代理商/技术参数
参数描述
IRG4CH50UB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
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IRG4IBC10UDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4IBC20FD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 14.3A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4IBC20FDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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