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参数资料
| 型号： | IRG4PC40UD2 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 10/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PC40UD2 |
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HIGH TEMPERATURE REVERSE BIAS (HTRB)
T0220 Package
Junction Temperature:
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vge = 0V
Vce = 80% of maximum rated BVces
N Channel
LOW FREQUENCY ( Standard )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
VOLTAGE QTY
MAX
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGBC20S
IRGBC40S
9544
9606
150
150
600
600
20
20
3.73E+06
3.73E+06
245
245
TOTALS
40
4016 0
7.47E+06
123
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
VOLTAGE QTY
MAX
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2007 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGBC30F
IRGNC30FD2
IRGBF30F
9537
9640
9613
150
150
150
600
600
900
20
20
20
3.73E+06
3.73E+06
3.73E+06
245
245
245
TOTALS
60
6023 0
1.12E+07
82
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 10 of 35
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PE40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PE40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PE40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PE40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PF40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PC40UD-EPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PC40UDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PC40UPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PC40W | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PC40WPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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