参数资料
型号: IRG4PC40UD2
厂商: International Rectifier
英文描述: Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述: FIT率/等效器件小时
文件页数: 15/35页
文件大小: 112K
代理商: IRG4PC40UD2
TEMPERATURE & HUMIDITY (THB)
T0247 Package
Junction Temperature:
Relative Humidity:
Applied Bias:
85°C
85% rh
Vge = 0V
Vce = as specified
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
COLLECTOR
VOLTAGE
QTY
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2000 0
MODE
(note b)
(V)
100
IRGPF30F
9642
20
TOTALS
20
2000 0
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
COLLECTOR
VOLTAGE
QTY
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
1504 3
1504 4
2051 0
1008 0
MODE
(note b)
(V)
500
500
100
500
IRGPC40U
IRGPC40U
IRG4PC40UD2
IRGPH60UD2
9538
9620
9643
9450
20
20
20
10
1
1
TOTALS
70
6067 7
NOTES
b. FAILURE MODES:
1.
3 devices failed @ 1504hrs 85/85 and 4 devices failed @
1552 HRS 85/85 all the failures were due to termination
structure corrosion, caused by moisture ingression.
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 15 of 35
相关PDF资料
PDF描述
IRG4PE40KD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PE40MD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PE40SD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PE40UD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PF40FD Fit Rate / Equivalent Device Hours
相关代理商/技术参数
参数描述
IRG4PC40UD-EPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PC40UDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PC40UPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PC40W 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC40WPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube