参数资料
型号: IRG4PC40UD2
厂商: International Rectifier
英文描述: Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述: FIT率/等效器件小时
文件页数: 14/35页
文件大小: 112K
代理商: IRG4PC40UD2
HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
T0220 Package
Junction Temperature:
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
GATE
BIAS
QTY
ACTUAL
TEST
TIME
(hours)
2008 0
2008 0
2007 0
2054 0
#
MODE
FITs
(deg C)
(V)
9613
9605
9641
9643
150
150
150
150
20
20
20
20
20
20
20
20
3722
3722
3724
3639
TOTALS
80
8077 0
925
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
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PDF描述
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参数描述
IRG4PC40UD-EPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PC40UDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PC40UPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PC40W 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC40WPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube