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参数资料
| 型号： | IRG4PH30KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 3.10V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 10A条） |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | IRG4PH30KD |
IRG4PH30KD
www.irf.com
3
0.1
1
10
100
0
5
10
15
f, Frequency (KHz)
L
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125
°
C
T = 90
°
C
G ate drive as specified
Pow er D issipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
6
8
10
12
14
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
T = 150 C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRG4PH40KD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
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