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参数资料
| 型号： | IRG4PH30KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 3.10V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 10A条） |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | IRG4PH30KD |
IRG4PH30KD
www.irf.com
7
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
10
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 20A
I = 10A
I = 5.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 20A
I = 10A
I = 5.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
0
200
400
600
800
1000
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 20A
I = 10A
I = 5.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
20
40
60
80
100
100
1000
dif
I = 20A
I = 10A
I = 5.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
t
I
I
d
Q
R
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PDF描述 |
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