参数资料
型号: IRGB20B60PD1
厂商: International Rectifier
英文描述: SMPS IGBT
中文描述: 的SMPS IGBT
文件页数: 3/10页
文件大小: 351K
代理商: IRGB20B60PD1
IRGB20B60PD1
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
Fig. 4
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 125°C; tp = 80μs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
50
100
150
200
250
Pt
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
IC
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
相关PDF资料
PDF描述
IRGB30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60 LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
IRGB4045DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGB20B60PD1PBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGB30B60K 功能描述:IGBT 600V 78A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRGB30B60KPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGB4045DPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGB4055PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220