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参数资料
型号： IRGB20B60PD1
厂商： International Rectifier
英文描述： SMPS IGBT
中文描述： 的SMPS IGBT
文件页数： 4/10页
文件大小： 351K
代理商： IRGB20B60PD1
IRGB20B60PD1
4
www.irf.com
Fig. 8
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 125°C
Fig. 12
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 125°C; L = 200μH; V
CE
= 390V, R
G
= 10
; V
GE
= 15V.
Diode clamp used: 8ETH06 (See C.T.3)
Fig. 11
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 125°C; L = 200μH; V
CE
= 390V, R
G
= 10
; V
GE
= 15V.
Diode clamp used: 8ETH06 (See C.T.3)
Fig. 10
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
IC
TJ = 25°C
TJ = 125°C
Fig. 7
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VC
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VC
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
0
5
10
15
20
25
IC (A)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
EOFF
EON
0
5
10
15
20
25
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0.1
1
10
100
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
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PDF描述
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参数描述
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