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参数资料
| 型号： | IRGB4045DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 792K |
| 代理商： | IRGB4045DPBF |
IRGB4045DPbF
4
www.irf.com
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 175°C; tp = 80μs
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 175°C
0.0
1.0
2.0
3.0
VF (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IF
-40°C
25°C
175°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
VC
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
ICE = 12A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
VC
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
ICE = 12A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
VC
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
ICE = 12A
0
2
4
6
8
10
VCE (V)
0
5
10
15
20
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
Bottom
4
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IC
TJ = 25°C
TJ = 175°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB4055PBF | Advanced Trench IGBT Technology |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGB4059DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4060DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4061DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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