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参数资料
| 型号： | IRGI4085PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | PDP TRENCH IGBT |
| 中文描述： | 等离子沟道IGBT |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 778K |
| 代理商： | IRGI4085PBF |
6
www.irf.com
Fig 16a.
t
st
and E
PULSE
Test Circuit
Fig 16b.
t
st
Test Waveforms
Fig 16c.
E
PULSE
Test Waveforms
1K
VCC
DUT
0
L
Fig. 17
- Gate Charge Circuit (turn-off)
DRIVER
DUT
L
C
VCC
RG
RG
B
A
Ipulse
Energy
V
CE
I
C
Current
PULSE A
PULSE B
t
ST
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGI4086PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 300V Plasma Display Panel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGI4090PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 300V Plasma Display Panel Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB10B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB10B60KD1P | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB10B60KD1PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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