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参数资料
型号： IRGIB6B60KD
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管
文件页数： 5/12页
文件大小： 273K
代理商： IRGIB6B60KD
IRGIB6B60KD
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 150°C
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
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