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参数资料
| 型号： | IRGIB6B60KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | IRGIB6B60KD |
IRGIB6B60KD
www.irf.com
9
Fig 25.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Fig 24.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
2.530 0.001
1.354 0.068689
2.114 2.758
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.157 0.000607
1.134 0.107781
1.608 1.9249
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGIB7B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIH50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGP20B120UD-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP20B120U-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGP20B60PD | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGIB6B60KD116P | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB6B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB7B60KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB7B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIH50F | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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