收藏本站
参数资料
型号： IRGP20B120U-E
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 绝缘栅双极晶体管
文件页数： 6/12页
文件大小： 148K
代理商： IRGP20B120U-E
IRGP20B120UD-E
6
www.irf.com
Fig.15 - Typical Energy Loss vs Rg
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
I
CE
=20A; V
GE
=15V
3000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Rg (ohms)
E
Eon
Eoff
Fig.13 - Typical Energy Loss vs Ic
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
Rg=22
; V
GE
=15V
6000
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
10
20
30
40
50
I
C
(A)
E
Eon
Eoff
Fig.16 - Typical Switching Time vs Rg
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
I
CE
=20A; V
GE
=15V
1000
10
100
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Rg (ohms)
t
tdon
tdoff
tr
tf
Fig.14 - Typical Switching Time vs Ic
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
Rg=22
; V
GE
=15V
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
I
C
(A)
t
tdon
tdoff
tf
tr
相关PDF资料
PDF描述
IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP30B60KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4050 PDP Switch
IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGP20B120U-EP 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP20B60PD 制造商:INTRSL 功能描述:
IRGP20B60PD1 制造商:International Rectifier 功能描述:IINTERNATIONAL RECTIFIER PART
IRGP20B60PDHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 40A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRGP20B60PDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*