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参数资料
| 型号： | IRGP20B120U-E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | IRGP20B120U-E |
IRGP20B120UD-E
8
www.irf.com
Fig.22 - Typical Capacitance vs V
CE
V
GE
=0V; f=1MHz
10
100
1000
10000
0
20
40
V
CE
(V)
60
80
100
C
C
ies
C
oes
C
res
Fig.23 - Typ. Gate Charge vs. V
GE
I
C
=20A; L=600μH
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
40
80
120
160
200
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
600V
800V
Fig.21 - Typ. Diode E
rec
vs. I
F
Tj=125°C
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
0
10
20
30
40
50
60
I
F
(A)
E
5
10
22
51
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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