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参数资料
型号： IRGPS60B120KD
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管
文件页数： 6/12页
文件大小： 135K
代理商： IRGPS60B120KD
IRGPS60B120KD
6
www.irf.com
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 125°C; L=200μH; V
CE
= 600V
R
G
= 4.7
; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 125°C; L=200μH; V
CE
= 600V
R
G
= 4.7
; V
GE
= 15V
0
20
40
60
80
100
IC (A)
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
E
EOFF
EON
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 125°C; L=200μH; V
CE
= 600V
I
CE
= 60A; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 125°C; L=200μH; V
CE
= 600V
I
CE
= 60A; V
GE
= 15V
0
50
100
150
RG (
)
0
5000
10000
15000
20000
25000
E
EON
EOFF
0
50
100
150
RG (
)
10
100
1000
10000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
20
40
60
80
100
IC (A)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
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PDF描述
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IRGSL6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRH7450SE TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A)
IRH9130 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGPS60B120KDP 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGPS60B120KDP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT N CH 1200V 60A TO-247
IRGPS60B120KDP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRGR2B60KDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 6.3A 35W DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600
IRGR2B60KDTRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600 - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 6.3A 35W DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:T&R / IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600
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