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参数资料
| 型号： | IRGPS60B120KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRGPS60B120KD |
IRGPS60B120KD
www.irf.com
9
Fig 25.
Normalized Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Fig 24.
Normalized Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRH7450SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A) |
| IRH9130 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGPS60B120KDP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGPS60B120KDP | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT N CH 1200V 60A TO-247 |
| IRGPS60B120KDP | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
| IRGR2B60KDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 6.3A 35W DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600 |
| IRGR2B60KDTRLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600 - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 6.3A 35W DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:T&R / IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600 |
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