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参数资料
| 型号： | IRGSL30B60K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | IRGSL30B60K |
IRGB/S/SL30B60K
www.irf.com
7
Fig 18.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
Fig. 16
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 17
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 30A; L = 600μH
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
25
50
75
100
125
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
200V
400V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.200 0.000428
0.209 0.013031
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGS30B60 | LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| IRGB4045DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRGSL4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low VCEon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGSL4B60K | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL4B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH |
| IRGSL4B60KD1PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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