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参数资料
| 型号： | IRGSL6B60K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | IRGSL6B60K |
IRG/B/S/SL6B60K
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 5.0A; L = 600μH
Fig. 16
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
1
10
100
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
0
5
10
15
20
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
Fig 18.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.708 0.00022
0.447 0.00089
0.219 0.01037
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
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