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参数资料
| 型号： | IRGSL6B60K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | IRGSL6B60K |
IRG/B/S/SL6B60K
www.irf.com
9
-50
0
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150
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350
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-0.20
0.30
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time(μs)
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C
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3
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CE
5% I
CE
Eoff Loss
tf
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time (μs)
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TEST CURRENT
90% test current
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tr
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time (μS)
V
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I
C
V
CE
I
CE
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF3- Typ. S.C Waveform
@ T
C
= 150°C using Fig. CT.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGSL8B60K | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL8B60KPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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