- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377521 > IRHF7330SE (International Rectifier) N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHF7330SE |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管) |
| 中文描述： | N通道单粒子效应（见）拉德硬的HEXFET晶体管（不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | IRHF7330SE |
IRHF7330SE Devices
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHF7430SE | N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管) |
| IRHF8110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRHF3110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRHF4110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRHF7110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHF7330SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHF7330SESCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHF7430SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHF7430SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHF7430SESCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。