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参数资料
| 型号： | IRHF7430SE |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管) |
| 中文描述： | N通道单粒子效应（见）拉德硬的HEXFET晶体管（不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | IRHF7430SE |
IRHF7430SE Devices
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
J
TOP
BOTTOM
VGS
6.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.1
1
10
5
6
7
8
9
10
11
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
12V
2.6A
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