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参数资料
| 型号： | IRHM53160 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 100V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(100V,通孔安装抗辐射功率N沟道MOSFET) |
| 中文描述： | 100V的N通道通孔抗辐射功率MOSFET（100V的，通孔安装抗辐射功率?沟道MOSFET的） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IRHM53160 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHM57160
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
16A
22A
35A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHM53164SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, SEE HARD, R5 - Bulk |
| IRHM53260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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