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参数资料
| 型号： | IRHM57264SE |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Thru-Hole Radiation Hardened Power MOSFET(通孔安装抗辐射功率MOSFET) |
| 中文描述： | 通孔抗辐射功率MOSFET（通孔安装抗辐射功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | IRHM57264SE |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHM57264SE
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
tp
V
(BR)DSS
I
AS
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
16A
22A
35A
TOP
BOTTOM
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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